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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
26
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14200
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
19
读取速度,GB/s
13.9
19.4
写入速度,GB/s
9.6
15.0
内存带宽,mbps
14200
21300
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
3397
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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