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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
总分
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
12.5
16.7
写入速度,GB/s
8.2
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2087
3202
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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