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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Kingston 9905622-075.A00G 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
总分
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
12.5
13.7
写入速度,GB/s
8.2
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2087
2325
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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