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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
比较
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Kingston 9965667-001.A00G 16GB
总分
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
总分
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
41
左右 -5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
39
读取速度,GB/s
12.5
10.1
写入速度,GB/s
8.2
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2087
2168
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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