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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
12.5
14.5
写入速度,GB/s
8.2
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2087
2620
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
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