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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
41
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
22
读取速度,GB/s
12.5
15.9
写入速度,GB/s
8.2
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2087
2611
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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