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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

总分
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

总分
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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 43
    左右 -105% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.7 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 17.7
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2057 left arrow 2814

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB RAM的比较

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内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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内存RAM
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Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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内存RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
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