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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
12.7
16.6
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3122
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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