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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
12.7
18.2
写入速度,GB/s
8.0
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3672
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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