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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
12.7
19.8
写入速度,GB/s
8.0
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3635
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
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