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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
75
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
75
读取速度,GB/s
12.7
14.5
写入速度,GB/s
8.0
7.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1735
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
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