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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
12.7
18.0
写入速度,GB/s
8.0
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3711
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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