RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

总分
star star star star star
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

总分
star star star star star
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
报告一个错误
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 43
    左右 -13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.4 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 14.0
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 10.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2057 left arrow 2055

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
内存RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
内存RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
内存RAM
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
内存RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
内存RAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
内存RAM