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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
12.7
15.6
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3093
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
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