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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
比较
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
总分
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
总分
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
14.4
14.2
写入速度,GB/s
9.5
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2361
2873
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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