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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
30
40
读取速度,GB/s
10.6
11.5
写入速度,GB/s
6.8
7.1
内存带宽,mbps
8500
12800
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1730
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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