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Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.5
6.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.1
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
11.5
6.6
写入速度,GB/s
7.1
3.6
内存带宽,mbps
12800
8500
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1730
921
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
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