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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
17.4
写入速度,GB/s
8.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2624
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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