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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
13.2
15.3
写入速度,GB/s
9.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3371
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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