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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
9.2
15.8
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2830
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
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