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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9905678-105.A00G 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
3,231.0
17.4
写入速度,GB/s
1,447.3
12.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3120
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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