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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
17.3
写入速度,GB/s
2,622.0
15.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3632
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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