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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
18.0
写入速度,GB/s
870.4
14.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3373
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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