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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
13.2
15.0
写入速度,GB/s
9.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2845
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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