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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
13.2
17.9
写入速度,GB/s
9.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3538
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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