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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
10.4
15.8
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2929
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
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