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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
15.3
写入速度,GB/s
8.1
12.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2892
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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