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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
15.9
15.8
写入速度,GB/s
12.8
12.4
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2936
2852
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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