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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.9
16.2
写入速度,GB/s
9.0
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2907
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
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