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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
44
左右 -120% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
20
读取速度,GB/s
13.2
18.5
写入速度,GB/s
9.1
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2965
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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