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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
13.9
18.0
写入速度,GB/s
9.3
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2317
3334
Kingston KP4T2F-PSB 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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