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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
13.2
15.1
写入速度,GB/s
9.1
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2589
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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