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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
45
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
45
读取速度,GB/s
13.2
16.6
写入速度,GB/s
9.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3233
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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