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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.1
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
13.2
21.9
写入速度,GB/s
9.1
19.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
4044
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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