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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
66
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
66
读取速度,GB/s
13.2
15.9
写入速度,GB/s
9.1
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
1877
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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