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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
36
读取速度,GB/s
15.0
14.4
写入速度,GB/s
10.3
10.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2489
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
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