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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
13.2
15.1
写入速度,GB/s
9.1
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
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