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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
34
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
34
读取速度,GB/s
13.2
16.4
写入速度,GB/s
8.8
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2301
2616
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
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