RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2301
2616
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link