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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
13.2
18.8
写入速度,GB/s
9.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3168
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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