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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
92
左右 -300% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.6
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
23
读取速度,GB/s
2,105.4
19.6
写入速度,GB/s
1,266.1
17.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
4100
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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