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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
13.2
15.1
写入速度,GB/s
9.1
9.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2590
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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