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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
71
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
71
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
9.1
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
1986
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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