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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
9.2
18.5
写入速度,GB/s
8.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3392
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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