RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3392
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link