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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
4,226.4
18.3
写入速度,GB/s
1,479.2
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3482
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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