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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
16.7
18.3
写入速度,GB/s
11.8
14.4
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3482
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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