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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
52
左右 -189% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
18
读取速度,GB/s
4,226.4
20.9
写入速度,GB/s
1,479.2
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3601
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston KHX16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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