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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
87
左右 -383% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
18
读取速度,GB/s
3,155.6
20.9
写入速度,GB/s
870.4
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3601
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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