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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
52
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
44
读取速度,GB/s
4,226.4
14.7
写入速度,GB/s
1,479.2
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2170
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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